Amorphous Semiconductors (Amorf Yarıiletkenler)

bant

a-Si:H

a-Si1-xCx:H

a-SiNx:H

Samples were prepared by decomposition of SiH4 on a glas substrate in a Glow-Discharge system.

substrate

Optical Measurements

[image][image]

1.* Optical characterization of light sources: Using CCD detector with in the 200-1000 nm wavelength range all light sources such as LED and LASERS can be characterized.

12.04.2002 [image]

5.7.2002 [image]

1.* Optical Transmission Measurement: Thin film thickness and refractive index can be determine from the optical transmission spectrum in 500-1000nm wavelength range.We have home-made spectrometer in visible and NIR range. Optical absorption coeffient is also determine this transmission spectrum. By help of the Tauc equation samples optical gap (Eg) calculated.

26.02.2002 [image]

2.[image]

*Optical Reflection Measurement: This is also alternative method to determination of thin film thickness and refractive index.

[image]04.03.2003

[image]

3* Constant Photocurrent Measurement: Optical absorption coefficient can be determine in the low energy range. We have a Monochromator, optical sensor (Si-Ge type photodedectors).

Electrical Measuremets

4* Dark conductivity Measurement: Samples conductivity measures from 430-103K temperature range.

07.08.2002 [image][image][image]

5* Photoconductivity Measurement: Samples photoconductivity measures under different photon flux by help of the LED group.

6* Transient Photoconductivity Measurement: Samples drift mobility and response time measures under different Generation rate. 31-03-2003. Gould 400 MSample/sec 150 MHz DSO, Labview, 532.8 nm 10 mW laser with various Neutral density filter, I/V convertor with various gain, Temperature controller from 90K to 430K, Voltage source.

6* Polarized Electroabsorption effect in hydrogenated amorphous silicon and alloys (constructed). [image]

6* I/V characterization

* HP3852A Model data logger ve integrating voltmetre kullanılarak 4 NOKTA YONTEMi iLE 30 OHM- 30 kOHM 5.1/2 hassasiyette DiRENC OLCUMU 12.03.2003

* 3-5 W RF Oscillator (13.59695MHz)

* RF main oscillator with 200 mW output power. [image][image]

Specall thanks to M. Deniz Caliskan. 27.05.2003 From 200mW to 175 W output power is avaible. Mart 2004

* RUBY PHOTOLUMINESCENCE

[image][image][image]

30.08.2002

532 nm Lazer ve uygun spektroskopik aletler ile Raman Spektrometresi kurulma aşamasında. ELEKTROOPTiK LABORATUVARININ KURULMASINDA HER TüRLü YARDIMINDAN DOLAYI Doc. Dr. ENGiN öZDAŞ'a TEŞEKKÜRLER EDERİM.

CCD ile ince filmlerin optik geçirgenliklerinin çok kısa bir sürede ( maksimum 5 dakika ) 250-1100 nm arasında elde edilmesi. Aralık 2004.

ZnO Saydam iletken oksit ince film üretim sistemi (Aralık 2004)

Bu sistem de elde edilen filmler üzerine , optik geçirgenlik ölçümlerin, x-Işınları kırınım desenlerinin, AFM ve SEM görüntülerinin incelenmesi ile karakterizasyonları yapılmaktadır.

Bu çalışma Ar. Gör. Neşe KAVASOĞLUNUN doktora tez çalışmasıdır. (2004 ocak---)

Yüksek voltaj değişken frekanslı amplifier kartı tasarımı ve montajı (Cengiz Koçum'a teşekkürler) Masrt 2005.

Home made-Trigger ve delay generator. Aralık 2004.

12 Bit super ADC ile genel amaçlı kontrol algoritmaları. (Kart için Engin Kıran'a teşekkürler) Ocak 2005.

DC. sputter için kontrol devresi ve mekanik tasarım (Aralık 2004) Beljar ve vakaum bağlanıları eksik.

TOF (Time of Flight) deney seti kurulum aşamasında (Ocak 2005)

Bilgisayar printer portu ile stepper motor kontrolü (Staj öğrencisi Muhammed ÖZKAN ve Deniz Çalışkana teşekkürler 5.3.2005)

ZnO ince filmler için AFM görüntüleri

[image] 05.05.2005

[image] 13.05.2005

Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezinden Ali Alaçakır ve Erdal Tan'a teşekkürler.